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    2. SIC仿真

      分享:

      UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET

      UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构,其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。

      2021-09-14 14:47:19

      仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

      SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。

      2021-09-06 11:06:23

      仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

      英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。

      2021-08-31 10:38:42

      Proteus软件仿真案例参考

      Proteus软件仿真案例参考

      资料下载 谢链洁 2021-08-14 10:52:31

      SVPWM仿真模型资源下载

      SVPWM仿真模型资源下载

      资料下载 songxianyi888 2021-08-09 16:25:27

      基于MATLAB的雷达仿真程序源码

      基于MATLAB的雷达仿真程序源码

      资料下载 阿拉斯加游荡者 2021-07-01 09:32:18

      《电路基础》仿真电路汇总下载

      《电路基础》仿真电路汇总下载

      资料下载 lionlike 2021-06-22 09:15:00

      过程系统建模与仿真.pdf

      过程系统的建模与仿真是系统分析、研究、设计、运行和操作培训的有力工具,本书系统地讲述过程系统的建模与仿真的基本方法、基本原理及应用实例。本书共分十章,包括概论,数学模型与建模原理,过程单元动态

      资料下载 dianziaihao88 2018-05-19 10:18:50

      SiC市场规模的增加和SiC晶圆争夺的加剧

      一个特斯拉就将消耗SiC晶圆总产能这两年,由于SiC独有的优良特性,车厂陆续开始导入SiC器件,这对SiC晶圆的需求量是巨大的。Tesla第1季宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产

      2021-04-29 10:13:14

      SiC的驱动电压多少才合适?

      过去的一年,作为第三代半导体的典型代表,碳化硅(SiC)器件着实火了一把,其高工作温度、高击穿场强、高耐压、高热导率、高功率密度以及高可靠性,为设计师打造具有竞争力的节能型产品提供了前所未有的机会

      2021-04-26 10:29:40

      简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

      损耗Erec 降低30%以上IGBT的开通损耗Eon 因此,在中小功率光伏与UPS等领域,诚乃极具性价比之选。 上个回合,我们已仿真分析过SiC MOSFET开关

      2021-03-26 16:40:20

      SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性分析

      关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。这篇微信文章将延续“仿真看世界”系列一贯之风格,借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析

      2021-03-11 09:22:05

      车厂逐渐导入,SiC晶圆供不应求

      近日,英飞凌与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。英飞凌此举无疑是看到了SiC广阔的市场规模,据Yole预测,SiC

      2020-12-29 16:12:16

      全球SiC和GaN功率半导体销售收入,预计到2029年将超过50亿美元

      SiC肖特基二极管已经上市十多年了,近年来出现了SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)和结型场效应晶体管(SiC JFETs)。SiC功率??橐苍嚼丛蕉?,包括混合SiC???

      2020-11-13 14:11:43

      哪些是SiC器件重点关注领域?

      文章来源:电子工程世界 作者:汤宏琳 就在我们还沉浸在Si器件带来的低成本红利时,很多关键型应用已经开始拥抱SiC了。 虽然SiC成本还有些略高,但它却有着自己得天独厚的优势:与Si相比,SiC

      2020-10-26 10:12:25

      半导体材料:Si、SiC和GaN

      作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。

      2020-08-27 16:26:00

      为何使用SCALE门极驱动器来驱动SiC MOSFET?

      PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压,允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。

      2020-08-13 15:31:28

      英飞凌推出650V SiC MOSFET,低压SiC市场竞争激烈

      英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。

      2020-05-09 15:07:50

      2024年SiC的市场规模将达19.3亿美元,英飞凌扩展SiC MOSFET产品线

      根据2019年Yole发布的SiC市场报告,2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元,该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%,也就是说到2024年,SiC的市场规模将达19.3亿美元。

      2020-04-03 18:26:13

      SiC IGBT在电力电子变压器的发展

      SiC SBD和 MOS是目前最为常见的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些领域和 IGBT争抢份额。我们都知道,IGBT 结合了 MOS 和 BJT 的优点,第三代宽禁带半导体SiC

      2020-03-20 15:56:28

      SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

      宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。 譬如,Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根据该公司

      2019-07-19 16:59:35

      扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

      在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上,笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势,以及该公司在SiC产品线、车规产品以及生产制造方面的情况。

      2019-07-12 17:35:59

      SiC热潮来袭!科锐投资10亿美元扩产SiC

      Cree将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能。

      2019-05-13 14:57:22

      碳化硅(SiC)何以还未能征服市场

      碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,目前国际上已经量产碳化硅(SiC)器件的厂商有ROHM、Infineon和Cree

      2018-12-13 11:26:11

      Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

      Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。

      2018-09-26 11:32:17

      SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

      SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在

      2018-07-15 11:05:41

      介绍 SiC 新功率元器件

      使用SiC的新功率元器件技术

      2018-06-26 17:56:00

      何谓全SiC功率???

      罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率??椤绷坎?。与以往的Si-IGBT功率??橄啾?,“全SiC”功率??榭筛咚倏夭⒖纱蠓档退鸷?。

      2018-05-17 09:33:13

      SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍

      众所周知,SiC材料的特性和优势已被大规模地证实,它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一,因为在出现基于Si材料的IGBT和

      2017-12-21 09:07:04

      SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

      本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源???。

      2015-06-12 09:51:23

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